ความเสียหายของชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์และแบบจำลองการดิสชาร์จไฟฟ้าสถิต

ความเสียหายของชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์และแบบจำลองการดิสชาร์จไฟฟ้าสถิต

  ถ้ามองความเสียหายของชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์โดยลักษณะการถ่ายเทไฟฟ้าสถิต จะเกิดได้จาก 3 ลักษณะ คือ

-  การดิสชาร์จไฟฟ้าสถิตเข้าสู่ตัวชิ้นงาน (ESD to the device)

-  การดิสชาร์จไฟฟ้าสถิตออกจากตัวชิ้นงาน (ESD from the device)

-  การเหนี่ยวนำให้เกิดไฟฟ้าสถิต (Field induced discharges)

ปัญหาที่พบได้บ่อยของการเกิดดิสชาร์จไฟฟ้าสถิต คือเกิดการดิสชาร์จโดยตรงของไฟฟ้าสถิตจากร่างกายเข้าสู่ตัวชิ้นงาน อาทิเช่นการเกิดไฟฟ้าสถิตสะสมจากการเดิน แล้วบุคคลหรือพนักงานคนนั้นเดินไปหยิบชิ้นงาน หรือการเกิดไฟฟ้าสถิตบนวัสดุที่สามารถนำไฟฟ้าได้ อาทิเช่นเครื่องจักรหรือเครื่องมือ และดิสชาร์จโดยตรงเข้าสู่ตัวชิ้นงาน เป็นต้น

การถ่ายเทของประจุไฟฟ้าสถิตที่เกิดขึ้นอย่างรวดเร็วเข้าสู่ตัวชิ้นงาน หรือออกจากตัวชิ้นงาน จะถูกเรียกว่าการดิสชาร์จประจุของไฟฟ้าสถิต หรือ Electrostatic Discharge (ESD) ซึ่งต่างจากการถ่ายเทหรือระบายไฟฟ้าสถิตลงกราวด์เพื่อลดหรือกำจัดไฟฟ้าสถิตจากวัสดุต่างๆ เช่น การถ่ายเทไฟฟ้าสถิตจากร่างกายผ่านทางสายรัดข้อมือ หรือการถ่ายเทไฟฟ้าสถิตจากเครื่องมือเครื่องจักรลงสู่ระบบกราวด์ เพื่อลดปัญหาการสะสมไฟฟ้าสถิต ที่จะถูกเรียกว่า Electrostatic Dissipation

ถ้ามองจากแหล่งที่มาของการดิสชาร์จและรูปแบบของรูปคลื่น จะแบ่งได้ด้วยแบบจำลอง 3 วิธี คือ

1.  แบบจำลองการดิสชาร์จจากร่างกาย (Human Body Model : HBM) ซึ่งก็คือ การถ่ายเทของไฟฟ้าสถิตจากร่างกายไปยังชิ้นงาน

2.  แบบจำลองการดิสชาร์จจากเครื่องจักร (Machine Model : MM) ซึ่งก็คือการถ่ายเทของไฟฟ้าสถิตจากเครื่องมือหรือเครื่องจักรไปยังชิ้นงาน

3.  แบบจำลองการดิสชาร์จจากชิ้นงานที่มีประจุสะสม (Charged Device Model : CDM) ซึ่งก็คือ การถ่ายเทของไฟฟ้าสถิตที่สะสมบนอุปกรณ์หรือชิ้นงานไปยังวัตถุอื่น