โดนนน
เครื่องคอมพิวเตอร์ใช้แรมในการเก็บโปรแกรมและข้อมูลระหว่างการประมวลผล คุณสมบัติที่สำคัญประการหนึ่งของแรมคือความเร็วที่ใช้เข้าหนึ่งตำแหน่งต่างๆ ในหน่วยความจำมีค่าเท่าๆ กัน ซึ่งต่างจากเทคโนโลยีอื่นบางอย่างซึ่งต้องใช้เวลารอกว่าที่บิตหรือไบต์จะมาถึง
ระบบแรกๆ ที่ใช้หลอดสุญญากาศทำงานคล้ายกับแรมในสมัยปัจจุบันถึงแม้ว่าอุปกรณ์จะเสียบ่อยกว่ามาก หน่วยความจำแบบแกนเฟอร์ไรต์ (core memory) ก็มีคุณสมบัติในการเข้าถึงข้อมูลแบบเดียวกัน แนวความคิดของหน่วยความจำที่ทำจากหลอดและแกนเฟอร์ไรต์ก็ยังใช้ในแรมสมัยใหม่ที่ทำจากวงจรรวม
หน่วยความจำหลักแบบอื่นมักเกี่ยวข้องกับอุปกรณ์ที่มีเวลาเข้าถึงข้อมูลไม่เท่ากัน เช่น หน่วยความจำแบบดีเลย์ไลน์ (delay line memory) ที่ใช้คลื่นเสียงในท่อบรรจุปรอทในการเก็บข้อมูลบิต หน่วยความจำแบบดรัม ซึ่งทำงานใกล้เคียงฮาร์ดดิสก์ในปัจจุบัน เป็นข้อมูลในรูปของแม่เหล็กในแถบแม่เหล็กรูปวงกลม
แรมหลายชนิดมีคุณสมบัติ volatile หมายถึงข้อมูลที่เก็บจะสูญหายไปถ้าปิดเครื่องคอมพิวเตอร์ แรมสมัยใหม่มักเก็บข้อมูลบิตในรูปของประจุไฟฟ้าในตัวเก็บประจุ ดังเช่นกรณี ไดนามิคแรม หรือในรูปสถานะของฟลิปฟล็อป ดังเช่นของ สแตติกแรม
ปัจจุบันมีการพัฒนาแรมแบบ non-volatile ซึ่งยังเก็บรักษาข้อมูลถึงแม้ว่าไม่มีไฟเลี้ยงก็ตาม เทคโนโลยีที่ใช้ ก็เช่น เทคโนโลยีนาโนทิวจากคาร์บอน (carbon nanotube) และ ปรากฏการณ์ magnetic tunnel
ในฤดูร้อนปี พ.ศ. 2546 มีการเปิดตัวแรมแบบแม่เหล็ก (Magnetic RAM, MRAM) ขนาด 128 Kib ซึ่งผลิตด้วยเทคโนโลยีระดับ 0.18 ไมครอน หัวใจของแรมแบบนี้มาจากปรากฏการณ์ magnetic tunnel ในเดือนมิถุนายน พ.ศ. 2547 บริษัท อินฟินิออน (Infineon) เปิดตัวต้นแบบขนาด 16 Mib อาศัยเทคโนโลยี 0.18 ไมครอนเช่นเดียวกัน
สำหรับหน่วยความจำจากคอร์บอนนาโนทิว บริษัท แนนเทโร (Nantero) ได้สร้างต้นแบบขนาน 10 GiB ในปี พ.ศ. 2547
ในเครื่องคอมพิวเตอร์ สามารถจองแรมบางส่วนเป็นพาร์ติชัน ทำให้ทำงานได้เหมือนฮาร์ดดิสก์แต่เร็วกว่ามาก มักเรียกว่า แรมดิสค์ (ramdisk)
แปล
The two main forms of modern RAM are static RAM (SRAM) and dynamic RAM (DRAM). In static RAM, a bit of data is stored using the state of a flip-flop. This form of RAM is more expensive to produce, but is generally faster and requires less power than DRAM and, in modern computers, is often used as cache memory for the CPU. DRAM stores a bit of data using a transistor and capacitor pair, which together comprise a memory cell. The capacitor holds a high or low charge (1 or 0, respectively), and the transistor acts as a switch that lets the control circuitry on the chip read the capacitor's state of charge or change it. As this form of memory is less expensive to produce than static RAM, it is the predominant form of computer memory used in modern computers.
Both static and dynamic RAM are considered volatile, as their state is lost or reset when power is removed from the system. By contrast, Read-only memory (ROM) stores data by permanently enabling or disabling selected transistors, such that the memory cannot be altered. Writeable variants of ROM (such as EEPROM and flash memory) share properties of both ROM and RAM, enabling data to persist without power and to be updated without requiring special equipment. These persistent forms of semiconductor ROM include USB flash drives, memory cards for cameras and portable devices, etc. As of 2007, NAND flash has begun to replace older forms of persistent storage, such as magnetic disks and tapes, while NOR flash is being used in place of ROM in netbooks and rugged computers, since it is capable of true random access, allowing direct code execution.
ECC memory (which can be either SRAM or DRAM) includes special circuitry to detect and/or correct random faults (memory errors) in the stored data, using parity bitsor error correction code.
In general, the term RAM refers solely to solid-state memory devices (either DRAM or SRAM), and more specifically the main memory in most computers. In optical storage, the term DVD-RAM is somewhat of a misnomer since, like CD-RW, a rewriteable DVD must be erased before it can be rewritten.
ความเห็น (6)
อุ้ยๆๆๆๆๆข้อความโดนมากๆๆๆเลยครับ
อ่านแล้วรูเเรื่องที่ไม่เคยรู้มาก่อนมากมายเลยค่ะ
ความรู้ทั้งนั้น
ความรู้มีสาระดี...
มีความรู้เยอเะเลยๆ
